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| 看芯片识内存 |
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作者：佚名 文章来源：不详 点击数：842 更新时间：2010-01-02  |
内存芯片如按厂家所属地域来分主要有日，韩厂家，欧美及中国［含台湾省］厂家等等。看编号识内存芯片是了解内存的一个好方法，下面笔者就千辛万苦收集了一大批资料，带你去了解下它们：
主要的内存芯片厂商的名称既芯片代号如下：
现代电子HYUNDAI：HY［注：代号］
三星SAMSUNG：KM或M
NBM：AAA
西门子SIEMENS：HYB
高士达LG-SEMICON：GM
HITSUBISHI：M5M
富士通FUJITSU：MB
摩托罗拉MOTOROLA：MCM
MATSUSHITA：MN
OKI：MSM
美凯龙MICRON：MT
德州仪器TMS：TI
东芝TOSHIBA：TD或TC
日立HITACHI：HM
STI：TM
日电NEC：uPD
IBM：BM
NPNX：NN
一.日本产系列：
主要厂家有Hitachi［日立］，Toshiba［东芝］，NEC［日电］，Mitsubishi［三菱］等等，日产晶圆的特点是品质不错，价格稍高。
1.HITACHI［日立］。
日立内存质量不错，许多PC100的皆可稳上133MHz。它的稳定性好，做工精细，日立内存芯片的编号有HITACHI HM521XXXXXCTTA60或B60,区别是A60的CL是2，B60的CL是3。市面上B60的多，但完全可超133MHz外频，
HITACHI的SDRAM芯片上的标识为以下格式：
HM 52 XX XX 5 X X TT-XX
HM代表是日立的产品，52是SDRAM，如为51则为EDO DRAM。
第1、2个X代表容量。
第3、4个X表示数据位宽，40、80、16分别代表4位、8位、16位。
第5个X表示是第几个版本的内核，现在至少已经排到"F"了。
第6个X如果是字母"L"就是低功耗。空白则为普通。
TT为TSOII封装。
最后XX代表速度：
75：7.5ns［133MHz］
80：8ns［125MHz］
A60：10ns［PC-100 CL2或3］
B60：10ns［PC-100 CL3］
例如：HM5264805F-B60，是64Mbit，8位输出，100MHZ时CL是3。
2.NEC。
NEC的SDRAM芯片上的标识通常为以下格式：
μPD45 XX X X XG5-AXX X-XXX
μPD4代表是NEC的产品。
"5"代表是SDRAM。
第1、2个X代表容量。
第3或4个X表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位。当数据位宽为16位和32位时，使用两位，即占用第4个X。由于NEC的标识的长度固定，这会对下面的数字造成影响。
第4或5个X代表Bank。"3"或"4"代表4个Bank，在16位和32位时代表2个Bank；"2"代表2个Bank。
第5个X，如为"1"代表LVTTL。如为16位和32位的芯片，第5个X已被占用，则第5个X有双重含义，如"1"代表2个Bank和LVTTL，"3"代表4个Bank和LVTTL。
G5为TSOPII封装。
-A后的XX是代表速度：
80：8ns［125MHz］
10：10ns［PC100 CL 3］
10B：10ns较10慢，Tac为7，不完全符合PC100规范。
12：12ns
70：［PC133］
75：［PC133］
速度后的X如果是字母"L"就是低功耗，空白则为普通。
-XXX：第一人X通常为数字，如64Mbit芯片上常为准，16Mbit芯片上常为7，规律不详。其后的XX的"JF"、"JH"、"NF"等。估计与封装外型有关："NF"对应: 44-pinTSOP-II；"JF"对应54-pin TSOPII；"JH"对应86-pin TSOP-II。
例如：μPD4564841G5-A80-9JF，64Mbit，8位，4个Bank，在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2。
3.TOSHIBA东芝。
TOSHIBA的芯片上的标识为以下格式：
TC59S XX XX X FT X-XX
TC代表是东芝的产品。
59代表是SDRAM系列。其后的S为普通SDRAM，R为Rambus SDRAM，W为DDR SDRAM。
第1、2个X代表容量。64为64Mbit，M7为128Mbit。
第3、4个X表示数据位宽，04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。
第5个X估计是用来表示内核的版本。目前常见的为"B"。
FT为TSOPII封装。
FT后如果有字母"L"就是低功耗，空白则为普通。
最后的XX是代表速度：
75：7.5ns［133MHz］
80：8ns［125MHz］
10：10ns［100MHz CL=3］
例如：TC59S6408BFTL-80，64Mbit，8位，可正常工作在125MHz，且为低功耗型号。
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